參數(shù)資料
型號: MMBT4403LT1-TP
廠商: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù): 1/2頁
文件大?。?/td> 145K
代理商: MMBT4403LT1-TP
相關PDF資料
PDF描述
MMBT4403LT3 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4403S62Z PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBTA55L99Z PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2907S62Z PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3702S62Z PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT4403LT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403M3T5G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-723 GP PNP TRANS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4403T1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, PNP Type, TO-236AB 制造商:ON Semiconductor 功能描述: