參數(shù)資料
型號： MMBT4403K
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP Epitaxial Silicon Transistor
中文描述： 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 166K
代理商： MMBT4403K
2006 Fairchild Semiconductor Corporation
1
www.fairchildsemi.com
MMBT4403K Rev. C
MMBT4403K
PNP
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
tm
November 2006
MMBT4403K
PNP Epitaxial Silicon Transistor
Switching Transistor
Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C unless otherwise noted
Electrical Characteristics T
a=25°C unless otherwise noted
* Pulse Test: Pulse Width
≤300s, Duty Cycle≤2%
Symbol
Parameter
Value
Units
VCBO
Collector-Base Voltage
-40
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
-40
V
VEBO
Emitter-Base Voltage
-5
V
IC
Collector Current
-600
mA
PC
Collector Power Dissipation
350
mW
TJ, TSTG
Operating Junction and Storage Temperature Range
-55 ~ 150
°C
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Max.
Units
BVCBO
Collector-Base Breakdown Voltage
IC = -0.1mA, IE = 0
-40
V
BVCEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage *
IC = -1.0mA, IB = 0
-40
V
BVEBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
IE = -0.1mA, IC = 0
-5
V
IBL
Base Cut-off Current
VCE = -35V, VEB = -0.4V
-0.1
A
ICEX
Collector Cut-off Current
VCE = -35V, VEB = -0.4V
-0.1
A
hFE
DC Current Gain
VCE = -1V, IC = -0.1mA
VCE = -1V, IC = -1.0mA
VCE = -1V, IC = -10mA
VCE = -2V, IC = -150mA *
VCE = -2V, IC = -500mA *
30
60
100
20
300
VCE (sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage *
IC = -150mA, IB = -15mA
IC = -500mA, IB = -50mA
-0.4
-0.75
V
VBE (sat)
Base-Emitter Saturation Voltage *
IC = -150mA, IB = -15mA
IC = -500mA, IB = -50mA
-0.75
-0.95
-1.3
V
fT
Current Gain Bandwidth Product
IC = -20mA, VCE = -10V, f = 100MHz
200
MHz
Cob
Output Capacitance
VCB = -10V, IE = 0, f = 140KHz
8.5
pF
tON
Turn On Time
VCC = -30V, VBE = -2V
IC = -150mA, IB1 = -15mA
35
ns
tOFF
Turn Off Time
VCC = -30V, IC = -150mA
IB1 = IB2= -15mA
255
ns
1. Base 2. Emitter 3. Collector
SOT-23
1
2
3
2TK
Marking
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MMBT4403LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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