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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT4401LT1 |
| 廠商： | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 141K |
| 代理商： | MMBT4401LT1 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT4401LT3 | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT4401L | 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT8099LT1 | 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT8599L | 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2907AL | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT4401LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT4401LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| MMBT4401LT1H | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBT4401LT1S | 制造商:Motorola Inc 功能描述:Electronic Component |
| MMBT4401LT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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