參數(shù)資料
型號: MMBT4401G-AE3-R
廠商: UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: HALOGEN FREE PACKAGE-3
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 268K
代理商: MMBT4401G-AE3-R
MMBT4401
NPN SILICON TRANSISTOR
UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD
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www.unisonic.com.tw
QW-R206-035.F
TYPICAL CHARACTERISTICS(Cont.)
10
100
1000
160
0
Collector Current, IC (mA)
Turn On and Turn Off Times
vs Collector Current
Time
(ns)
80
240
320
400
VCC =25V
toff
ton
IB1=IB2=
IC
10
100
1000
160
0
Collector Current, IC (mA)
Switching Times
vs Collector Current
Time
(ns)
80
240
320
400
VCC =25V
tS
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IB1=IB2=
IC
10
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V
CE
=1
0V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT4401LT1 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4401LT3 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4401L 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT8099LT1 80 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT8599L 500 mA, 80 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
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MMBT4401K 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN EPITAXIAL SILICON RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4401LT 制造商:Motorola 功能描述:4401 MOT N12J6G
MMBT4401LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4401LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2