參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT4401-7
廠商： DIODES INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
中文描述： 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 83K
代理商： MMBT4401-7
MMBT4401
NPN General
Purpose Amplifier
SOT-23
Suggested Solder
Pad Layout
Features
Surface Mount SOT-23 Package
Capable of 350mWatts of Power Dissipation
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
.120
.098
.055
.041
.081
.024
.0039
.044
.007
.020
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
.013
.89
.085
.37
MAX
3.04
2.64
1.40
1.03
2.05
.60
.100
1.12
.180
.51
NOTE
Electrical Characteristics @ 25
°
C Unless Otherwise Specified
Symbol
Parameter
OFF CHARACTERISTICS
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage*
(I
C
=1.0mAdc, I
B
=0)
V
(BR)CBO
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
=10mAdc, I
E
=0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base Breakdown Voltage
(I
E
=0.1mAdc, I
C
=0)
I
BL
Base Cutoff Current
(V
CE
=35Vdc, V
BE
=0.4Vdc)
I
CEX
Collector Cutoff Current
(V
CE
=35Vdc, V
BE
=0.4Vdc)
ON CHARACTERISTICS
h
FE
DC Current Gain*
(I
C
=0.1mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=1.0mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=10mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=150mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
(I
C
=500mAdc, V
CE
=1.0Vdc)
V
CE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
V
BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
(I
C
=150mAdc, I
B
=15mAdc)
(I
C
=500mAdc, I
B
=50mAdc)
SMALL-SIGNAL CHARACTERISTICS
f
T
Current Gain-Bandwidth Product
(I
C
=20mAdc, V
CE
=10Vdc, f=100MHz)
C
cb
Collector-Base Capacitance
(V
CB
=5.0Vdc, I
E
=0, f=1.0MHz)
C
eb
Emitter-Base Capacitance
(V
BE
=0.5Vdc, I
C
=0, f=1.0MHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
Delay Time
(V
CC
=30Vdc, V
BE
=0.2Vdc
t
r
Rise Time
I
C
=150mAdc, I
B1
=15mAdc)
t
s
Storage Time
(V
CC
=30Vdc, I
C
=150mAdc
t
f
Fall Time
I
B1
=I
B2
=15mAdc)
*Pulse Width
≤
300
μ
s, Duty Cycle
≤
2.0%
Min
Max
Units
40
Vdc
60
Vdc
6.0
Vdc
0.1
μ
Adc
0.1
μ
Adc
20
40
80
100 300
40
0.4
0.75
Vdc
0.75
0.95
1.2
Vdc
250
MHz
6.5
pF
30.0
pF
15
20
225
30
ns
ns
ns
ns
.079
2.000
imm
.031
.800
.035
.900
.037
.950
.037
.950
2 X
C
B
E
Pin Configuration
Top View
K
A
B
C
D
E
F
G
H
J
www.
mc c semi
.c om
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
!
"#
"#
$ %
!
M C C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT4401 NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT4401 Mini size of Discrete semiconductor elements
MMBT4401LT1 Switching Transistor(NPN Silicon)
MMBT4401LT1G Switching Transistor(NPN Silicon)
MMBT4401LT3 Switching Transistor(NPN Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT4401-7-F 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V 300mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4401-7-F-31 制造商:DIODES 功能描述:NPN TRANSISTORS/SOT-23(LEAD FREE)
MMBT4401FSTRND 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
MMBT4401-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=40V IC=600mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
MMBT4401-GS08 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*