參數資料
型號： MMBT4124L99Z
廠商： NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁數： 3/3頁
文件大?。?/td> 90K
代理商： MMBT4124L99Z
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PDF描述
MMBT2222D87Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT2222L99Z NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMPQ6502D84Z 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4400S62Z 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT4401-13 600 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關代理商/技術參數
參數描述
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MMBT4124LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 30V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4125LT1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel
MMBT4126 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT4126_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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