參數(shù)資料
型號： MMBT3904WT/R13
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 118K
代理商： MMBT3904WT/R13
PAGE . 2
May 10.2010-REV.00
MMBT3904W
Pa r a m e te r
S ym b o l
Te s t C o nd it io n
M IN.
TYP.
M AX.
Unit s
C o lle c t o r - E m i t t e r B r eak down Vo ltage
V (B R)C E O
IC = 1 . 0m A , IB = 0
40
-
V
C o lle c t o r - B a s e B r eak down Vo lt age
V (B R)CBO
IC = 1 0 uA , IE =0
6 0
-
V
E m i tt e r - B a se B r eak down Vo lt age
V (B R)EBO
IE = 1 0 uA, IC =0
6 .0
-
V
B a s e Cuto f f Cur r e nt
IBL
VC E= 3 0 V, VEB= 3 . 0 V
-
5 0
nA
Co lle c t o r Cut o ff C ur r e nt
ICE X
VC E= 3 0 V, VEB= 3 . 0 V
-
5 0
nA
D C C ur r ent G a i n ( Note 2)
h
FE
IC =0 .1 m A , V C E = 1 . 0 V
IC =1 .0 m A , V C E = 1 . 0 V
IC = 1 0 m A, VC E= 1 .0 V
IC = 5 0 m A, VC E= 1 .0 V
IC = 1 00m A , V C E = 1 . 0V
40
70
100
60
30
-
300
-
C o lle c t o r - E m i t t e r S a t ur a t i on Vo ltage ( Not e 2)
V CE (SAT)
IC =1 0 m A , IB =1 .0 m A
IC = 5 0 m A , IB = 5 .0 m A
--
0. 2
0. 3
V
B a se - E m i t te r S a t ur a t i on Vo lt age ( Note 2)
V BE(S AT)
IC =1 0 m A , IB =1 .0 m A
IC = 5 0 m A , IB = 5 .0 m A
0. 6 5
-
0. 8 5
0. 9 5
V
C o lle ct or - B a se C a p a c i t a nce
C CB O
V C B = 5 V, IE =0 , f=1 M Hz
-
4 .0
p F
E m i tt e r - B a se C apac i t anc e
C EBO
VEB= 0 . 5 V, IC = 0 , f= 1 M Hz
-
8 . 0
p F
De la y Ti m e
t d
V C C = 3V, V B E =- 0.5V,
IC = 1 0 m A ,IB = 1 . 0 m A
--
3 5
ns
Ri s e Ti m e
tr
V C C = 3V, V B E =- 0.5V,
IC = 1 0 m A ,IB = 1 . 0 m A
--
3 5
ns
S t or age Ti m e
t s
V C C = 3V, IC = 10m A
IB 1= IB 2 = 1. 0m A
-
200
ns
F a ll Ti m e
tf
V C C = 3V, IC = 10m A
IB 1= IB 2 = 1. 0m A
--
5 0
ns
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Note 2: Pulse Test: Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%.
275
W
10K
W
0
-0 .5 V
300 ns
Duty Cycle ~ 2.0%
+10.9V
+3V
D elay and R ise Tim e Equivalent Test C ircuit
< 1ns
C *<4pF
S
Storage and Fall Tim e Equivalent Test Circuit
0
-9 .1V
10 to 500us
Duty Cycle ~ 2.0%
+10.9V
< 1ns
0
1N 916
+3V
275
W
10K
W
C *<4pF
S
SWITCHING TIME EQUIVALENT TEST CIRCUITS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3904W 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904WT3 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3906WT3 200 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904/E8 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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參數(shù)描述
MMBT3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906 MCC 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP SM TRANS SOT-23 制造商:MCC 功能描述:General Purpose PNP SM TRANS SOT-23 - free partial T/R at 500.
MMBT3906,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3906 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
MMBT3906/E9 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R
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