參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3904T/R
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： MMBT3904T/R
MMBT3904T
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MMBT3904T Rev. 1.0.0
3
Package Dimensions
SOT-523F
Case : SOT-523F
Case Material(Molded Plastic): KTMC1060SC
UL Flammability classification rating : “V0”
Moisture Sensitivity level per JESD22-A1113B : MSL 1
Lead terminals solderable per MIL-STD7502026 /JESD22A121
Lead Free Plating : Pure Tin(Matte)
Dimensions in Millimeters
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3904T/R_NL 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904T 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904WT/R7 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904WT/R13 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904W 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT3904T-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MMBT3904TT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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