參數(shù)資料
型號： MMBT3904T/R_NL
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： LEAD FREE, ULTRA SMALL, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 132K
代理商： MMBT3904T/R_NL
MMBT3904T
—
NPN
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MMBT3904T Rev. 1.0.0
2
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC Current Gain
Figure 2. Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Base- Emitter Saturation Voltage
Figure 4. Collector- Base Leakage Current
Figure 5. Collector- Base Capacitance
Figure 6. Power Derating
1
10
100
1000
10
100
Vce=1V
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
T
J
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Collector Current, [mA]
10
100
1000
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T
J
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Collector Current, [mA]
10
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T
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T
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oC
B
a
s
e
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V
o
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ag
e,[
m
V
]
Collector Current, [mA]
10
20
30
40
50
60
1
10
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1000
T
J
=-25
oC
T
J
=25
oC
T
J
=75
oC
T
J
=125
oC
Bas
e
-C
ol
lect
or
Leakage
Cur
rent,
[n
A]
Base-Collector Revere Voltage, [V]
05
10
4
5
6
7
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Ba
se-
Co
llect
or
Junt
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Cap
a
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C
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[p
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Base- Collector Reverse Voltage, V
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0
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100
150
200
250
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Po
w
e
rD
iss
ip
at
io
n,
[m
W
]
Ambient Temperature, T
a
[
oC]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3904T 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904WT/R7 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904WT/R13 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904W 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904WT3 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT3904T-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
MMBT3904TT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT3904TT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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