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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT3904S62Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | MMBT3904S62Z |
2N3904
/
MMBT3904
/
PZT3904
Thermal Characteristics
TA = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
2N3904
*PZT3904
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
625
5.0
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJC
Thermal Resistance, Junction to Case
83.3
°C/W
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
200
125
°C/W
Symbol
Characteristic
Max
Units
**MMBT3904
MMPQ3904
PD
Total Device Dissipation
Derate above 25
°C
350
2.8
1,000
8.0
mW
mW/
°C
RθJA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Effective 4 Die
Each Die
357
125
240
°C/W
Typical Characteristics
Base-Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EMI
T
E
R
ON
VOL
T
A
GE
(V
)
BE
(O
N)
C
V
= 5V
CE
25 °C
125 °C
- 40 °C
Typical Pulsed Current Gain
vs Collector Current
0.1
1
10
100
0
100
200
300
400
500
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
h
-
T
Y
PI
CAL
P
U
L
SED
CURRE
N
T
G
A
IN
FE
- 40 C
25 °C
C
V
= 5V
CE
125 °C
*Device mounted on FR-4 PCB 36 mm X 18 mm X 1.5 mm; mounting pad for the collector lead min. 6 cm2.
**Device mounted on FR-4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
B
A
SE-
EM
ITT
E
R
VOL
T
A
G
E
(
V
)
BESA
T
C
β = 10
25 °C
125 °C
- 40 °C
Collector-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
0.05
0.1
0.15
I
- COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-CO
LL
EC
T
O
R-
E
M
ITTE
R
VO
L
T
A
G
E
(V
)
CESA
T
25 °C
C
β = 10
125 °C
- 40 °C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT3904LT1 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904LT1-TP | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904LT3 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT3904RF | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT3904T-13 | 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT3904SL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904SL-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:MMBT3904SL Series 40 V 200 mA SMT NPN Epitaxial Silicon Transistor - SOT-923F |
| MMBT3904T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT3904-T/R | 制造商:Micro Commercial Components (MCC) 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin SOT-23 T/R |
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