參數(shù)資料
型號(hào)： MMBT3904/E8
廠商： GENERAL SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 89K
代理商： MMBT3904/E8
Electrical Characteristics (TJ = 25°C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
VCE = 1 V, IC = 0.1 mA
40
——
VCE = 1 V, IC = 1 mA
70
——
DC Current Gain
hFE
VCE = 1 V, IC = 10 mA
100
—
300
—
VCE = 1 V, IC = 50 mA
60
——
VCE = 1 V, IC = 100 mA
30
——
Collector-Base Breakdown Voltage
V(BR)CBO
IC = 10
A, IE = 0
60
——
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
V(BR)CEO
IC = 1 mA, IB = 0
40
——
V
Emitter-Base Breakdown Voltage
V(BR)EBO
IE = 10
A, IC = 0
6.0
——
V
Collector Saturation Voltage
VCEsat
IC = 10 mA, IB = 1 mA
——
0.2
V
IC = 50 mA, IB = 5 mA
——
0.3
Base Saturation Voltage
VBEsat
IC = 10 mA, IB = 1 mA
——
0.85
V
IC = 50 mA, IB = 5 mA
——
0.95
Collector-Emitter Cut-off Current
ICEV
VEB = 3 V, VCE = 30 V
——
50
nA
Emitter-Base Cut-off Current
IEBV
VEB = 3 V, VCE = 30 V
——
50
nA
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE = 20 V, IC = 10 mA
300
——
MHz
f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance
CCBO
VCB = 5 V, f = 100 kHz
——
4pF
Emitter-Base Capacitance
CEBO
VEB = 0.5 V, f = 100 kHz
——
8pF
0.59 (15)
0.2 (5)
0.03 (0.8)
0.30 (7.5)
0.12 (3)
.04 (1)
0.06 (1.5)
0.20 (5.1)
.08 (2)
.04 (1)
0.47 (12)
Dimensions in inches and
(millimeters)
MMBT3904
Small Signal Transistor (NPN)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT3904 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT3904FN3T/R7 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904G-AE3-R 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT3904G-AL3-R 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT3904-G 功能描述:射頻雙極電源晶體管 VCEO=40V IC=200mA RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
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