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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBT3640LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 80 mA, 12 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 342K |
| 代理商： | MMBT3640LT3 |
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MMBT3640LT1
2–325
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 3. DC Current Gain
200
10
–1.0
h
FE
,D
C
U
RRENT
G
AIN
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 4. “On” Voltages
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
–1.4
0
TJ = 25°C
VBE(on) @ VCE = –1.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VBE(sat) @ IC/IB = 10
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
100
20
50
70
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
VCE = –1.0 V
30
–100
–0.1
–0.2
–0.5
–1.2
–1.0
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
–0.1
–0.2
–0.5
IB, BASE CURRENT (mA)
Figure 5. Collector Saturation Region
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
V
OL
TA
G
E
(V
OL
TS) –1.0
–0.6
0
IC = –1.0 mA
–0.8
–0.4
–0.2
–0.01 –0.02
–0.05 –0.1
–0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–5.0 mA
–20 mA
–80 mA
TJ = 25°C
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)°
θ
+0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
–0.1 –0.2
–0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 6. Temperature Coefficients
*APPLIES FOR IC/IB ≤ hFE/4
R
θVC for VCE(sat)
R
θVB for VBE
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
25
°C to 125°C
–55
°C to 25°C
Figure 7. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2000
200
400
600
800
1000
Figure 8. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
f,
C
U
RRENT–
G
AIN
—
BAN
DW
ID
T
H
PRO
DU
CT
(
M
Hz
)
T
Cobo
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100
–3.0
–7.0
–30
–70
TJ = 25°C
f = 100 MHz
VCE = –10 V
–1.0 V
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
–2.0
–5.0
–3.0
–7.0 –10
–20
–0.2
–0.5
–0.3
–0.7 –1.0
TJ = 25°C
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