參數(shù)資料
型號： MMBT2907AT/R13
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 570K
代理商： MMBT2907AT/R13
PAGE . 4
STAD-JUN.29.2005
0.01 0.02
0.05 0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
f,FREQUENCY (kHz)
NF
,
NOISE
F
IGURE
(dB)
NF
,
NOISE
FIGURE
(dB)
NF
,
NOISE
F
IGURE
(dB)
NF
,
NOISE
FIGURE
(dB)
50
100
200
500 1.0k 2.0k
5.0k 10k
20k
50k
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
R , SOURGE RESISTANCE (OHMS)
S
R, SOURGE RESISTANCE (OHMS)
S
-1.0 -2.0
-5.0
-10 -20
-50 -100 -200
-500-1000
400
300
200
100
80
60
40
30
20
-0.1
-0.2 -0.3 -0.5
-1.0
-2.0-3.0 -5.0
-10
-20 -30
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0 -5.0 -10 -20
-50 -100-200
-500
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
I ,COLLECTOR CURRENT (mA)
C
I ,COLLECTOR CURRENT (mA)
C
-0.1 -0.2 -0.5 -1.0 -2.0
-5.0 -10 -20 -50 -100 -200 -500
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
I ,COLLECTOR CUTTENT (mA)
C
I ,COLLECTOR CUTTENT (mA)
C
I =-1.0mA,R =430
-500 A,R =560
-50 A,R =2.7k
-100 A,R =1.6
CS
S
W
mW
I =-50 A
-100 A
-500 A
-1.0mA
C
m
R =OPTIMUM SOURCE RESISANCE
S
f=1.0kHz
C
eb
C
cb
V =-20V
T=25 C
CE
J
O
T=25 C
J
O
V@I /I =10
BE(sat)
C
B
V
@V =-10V
BE(on)
CE
V@
CE(sat)
I/I =10
CB
Rfor V
QVC
CE(sat)
Rfor V
QVB
BE
REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
I , COLLECTOR CUTTENT (mA)
C
C,CAP
ACIT
ANCE
(pF)
f
,
CURRENT
-GAIN-BANDWIDTH
PRODUCT
(MHz)
T
COEFFICIENT
(mV/
C)
O
V
,VOL
T
AGE
(VOL
TS)
Fig.5-Frequency Effects
Fig.6-Source Resistance Effects
Fig.8-Current-Gain-Bandwidth Product
Fig.7-Capacitances
Fig.9-On Voltage
Fig.10-Temperature Coefficients
MMBT2907A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2907AT/R7 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907A 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907D87Z 800 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2907LT1-TP 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MMBT2907AWT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -60V
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