型號: | MMBT2907AL-AL3-R |
廠商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
封裝: | LEAD FREE PACKAGE-3 |
文件頁數(shù): | 6/6頁 |
文件大小: | 246K |
代理商: | MMBT2907AL-AL3-R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MMBT2907A-AE3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907A-AL3-R | 800 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
MMBT2907AL | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2907L | 600 mA, 40 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
MMBT2907ARF | 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MMBT2907ALT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907ALT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MMBT2907ALT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
MMBT2907ALT1HTSA1 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin SOT-23 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANSISTORS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:TRANSISTOR SWITCHING PNP SOT-23 |
MMBT2907ALT1XT | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:AF TRANS,SOT 23, 3K T&R WITH MMBT LABEL |