參數(shù)資料
型號(hào): MMBT2369LT3
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
文件頁(yè)數(shù): 5/5頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商: MMBT2369LT3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2369AT/R13 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369AT/R7 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2369L 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT404AL 150 mA, 35 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
MMBT918L UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MMBT2369LT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SS GP XSTR NPN 15V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT-2369-TR 制造商:Taitron Components Inc 功能描述:
MMBT2484 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484_Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Transistor General Purpose RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2484LT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 600mA 60V NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2