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參數(shù)資料
| 型號： | MMBT2369-HIGH |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AA |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | MMBT2369-HIGH |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT2369 | 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT2369A/S62Z | 200 mA, 15 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMPQ2369/D84Z | 200 mA, 15 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2369 | 200 mA, 15 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMPQ2369/L86Z | 200 mA, 15 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBT2369L | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switcing Transistors |
| MMBT2369LT1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369LT1_07 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistors NPN Silicon |
| MMBT2369LT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 200mA 15V Switching NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2369LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Switching Transistors |
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