參數(shù)資料
型號: MMBT2222AS62Z
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 5/6頁
文件大?。?/td> 113K
代理商: MMBT2222AS62Z
PN2222A
/
MMBT2222A
/
MMPQ2222
/
NMT2222
/
PZT2222A
Test Circuits
30 V
1.0 K
16 V
0
≤≤≤≤≤ 200ns
500
200
50
37
- 15 V
1.0 K
6.0 V
0
30 V
FIGURE 2: Saturated Turn-Off Switching Time
FIGURE 1: Saturated Turn-On Switching Time
1k
NPN General Purpose Amplifier
(continued)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBT2222AD84Z 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2222D84Z 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2222S62Z 1000 mA, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMBT2222AL99Z 1000 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
MMPQ2222R2 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
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參數(shù)描述
MMBT2222AT 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222A-T 功能描述:兩極晶體管 - BJT 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MMBT2222AT_1 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:NPN SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
MMBT2222AT_10 制造商:WEITRON 制造商全稱:Weitron Technology 功能描述:Plastic-Encapsulate Transistors NPN Silicon
MMBT2222AT_11 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:NPN General Purpose Amplifier