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參數資料
| 型號： | MMBT200AL99Z |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 43K |
| 代理商： | MMBT200AL99Z |
PN200
/
MMBT200
/
PN200A
/
MMBT200A
Typical Characteristics (continued)
Base-Emitter Saturation
Voltage vs Collector Current
0.1
1
10
100
300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-
BA
SE
EMI
TTER
VO
L
T
A
G
E
(V
)
C
BE
S
A
T
β = 10
25 °C
- 40 C
125 C
Base Emitter ON Voltage vs
Collector Current
0.1
1
10
100 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
I - COLLECTOR CURRENT (mA)
V
-BA
S
E
EM
IT
TE
R
O
N
VO
L
T
A
G
E
(V
)
C
B
EON
V
= 5V
CE
25 °C
- 40 C
125 C
Collector-Cutoff Current
vs. Ambient Temperature
25
50
75
100
125
0.01
0.1
1
10
100
T - AMBIENT TEMPERATURE ( C)
I
-COLLE
CT
OR
CU
RRENT
(nA
)
A
CBO
V
= 50V
CB
CE
R
Collector-Emitter Breakdown
Voltage with Resistance
Between Emitter-Base
0.1
1
10
100
1000
70
75
80
85
90
95
RESISTANCE (k )
B
V
-
B
R
E
A
K
D
O
W
N
V
O
L
T
A
G
E
(V
)
PNP General Purpose Amplifier
(continued)
Collector Saturation Region
100
300
700
2000 4000
0
1
2
3
4
I - BASE CURRENT (uA)
V
-
CO
LL
E
C
T
O
R-
E
M
IT
TE
R
V
O
L
T
A
G
E
(
V
)
CE
B
50 mA
300 mA
100 uA
Ta = 25°C
Ic =
Input and Output Capacitance
vs Reverse Voltage
0.1
1
10
100
10
100
V
- COLLECTOR VOLTAGE(V)
CA
P
A
CI
T
A
NC
E
(p
F
)
Cib
Cob
f = 1.0 MHz
ce
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBT200AS62Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| MMBT200 | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT200/L99Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT200A | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| MMBT200A/S62Z | 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MMBT2131T1 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2131T1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 700mA 40V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MMBT2131T3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors |
| MMBT2132T1 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Tape and Reel |
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