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參數(shù)資料
| 型號： | MMBFU310LT3 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 372K |
| 代理商： | MMBFU310LT3 |
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MMBFU310LT1
4–188
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
|Y
11
|,|Y
21
|,|Y
22
|(mmhos)
Y
12
(mmhos)
30
24
18
12
6.0
0
1000
100
200
300
500
700
f, FREQUENCY (MHz)
3.0
2.4
1.8
1.2
0.6
|S21|, |S11|
0.45
0.39
0.33
0.27
0.21
0.15
0.85
0.79
0.73
0.67
0.61
0.55
|S12|, |S22|
0.060
0.048
0.036
0.024
0.012
1.00
0.98
0.96
0.94
0.92
0.90
1000
100
200
300
500
700
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 6. Common–Gate Y Parameter
Magnitude versus Frequency
Figure 7. Common–Gate S Parameter
Magnitude versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
ID, DRAIN CURRENT (mA)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
NF
,NOISE
FIGURE
(dB)
G
,POWER
GAIN
(dB)
pg
G
,POWER
GAIN
(dB)
pg
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
22
24
21
18
15
12
9.0
6.0
3.0
0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
50
100
200 300
500 700 1000
26
22
18
14
10
6.0
2.0
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
Y11
Y21
Y22
Y12
S22
S21
S11
S12
Gpg
NF
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
VDD = 20 V
f = 450 MHz
BW
≈ 10 MHz
CIRCUIT IN FIGURE 1
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
CIRCUIT IN FIGURE 1
Gpg
NF
f, FREQUENCY (MHz)
θ21, θ11
50
°
40
°
30
°
20
°
10
°
0
°
180
°
170
°
160
°
150
°
140
°
130
°
θ12, θ22
–20
°
–40
°
–80
°
– 120
°
– 160
°
– 200
°
–20
°
–60
°
– 100
°
– 140
°
– 180
°
87
°
86
°
85
°
84
°
83
°
82
°
1000
100
200
300
500
700
Figure 8. Common–Gate Y Parameter
Phase–Angle versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
θ11, θ12
120
°
100
°
80
°
60
°
40
°
20
°
–20
°
–40
°
–60
°
–80
°
– 100
°
– 120
°
θ21, θ22
0
–40
°
–80
°
–20
°
–60
°
– 100
°
1000
100
200
300
500
700
Figure 9. S Parameter Phase–Angle
versus Frequency
θ22
θ21
θ12
θ11
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
θ11
θ21
θ22
θ21
θ11
θ12
VDS = 10 V
ID = 10 mA
TA = 25°C
Figure 10. Noise Figure and
Power Gain versus Drain Current
Figure 11. Noise Figure and Power Gain
versus Frequency
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PDF描述 |
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