參數(shù)資料
型號： MMBF170LT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： TMOS FET Transistor
中文描述： 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大小： 75K
代理商： MMBF170LT1
BS170 Rev. C / MMBF170 Rev. D
-50
-25
0
T , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
25
50
75
100
125
150
0.925
0.95
0.975
1
1.025
1.05
1.075
1.1
D
B
D
I = 100μA
0.2
0.4
V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0.001
0.005
0.01
0.05
0.1
0.5
1
2
I
S
V = 0V
TJ
25°C
-55°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
2
4
6
8
10
Q , GATE CHARGE (nC)
V
G
I =500mA
V = 25V
1
2
3
5
10
20
30
50
1
2
5
10
20
40
60
V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
C
C ss
f = 1 MHz
V = 0V
C ss
C ss
G
D
S
V
DD
R
L
V
V
IN
OUT
V
GS
DUT
R
GEN
10%
50%
90%
10%
90%
90%
50%
Input, Vin
Output, Vout
t
on
t
off
t
d(off)
t
f
t
r
t
d(on)
Inverted
10%
Pulse Width
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
with Temperature
.
Figure 8. Body Diode Forward Voltage Variation with
Current and Temperature.
Figure 9. Capacitance Characteristics
.
Figure 10. Gate Charge Characteristics
.
Figure 11. Switching Test Circuit
.
Figure 12. Switching Waveforms
.
Typical Electrical Characteristics
(continued)
BS170 / MMBF170
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PDF描述
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MMBF4093 N-Channel Switch
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參數(shù)描述
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MMBF170LT1G 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF170LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET
MMBF170LT3 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
MMBF170LT3G 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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