- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄182950 > MMBF170L99Z (NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP) 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MMBF170L99Z |
| 廠商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 500 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 文件頁數(shù)： | 1/5頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MMBF170L99Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MMBF4119 | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
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| MMBF4391LT3 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
| MMBF4393LT3 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBF170L-AE2-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:0.5A, 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| MMBF170LT1 | 功能描述:MOSFET 20V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MMBF170LT1_08 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 500 mA, 60 V N-Channel SOT-23 |
| MMBF170LT1G | 功能描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| MMBF170LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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