參數(shù)資料
型號： MMBD914LT1
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： High Speed Switching Diode(高速開關(guān)二極管)
中文描述： 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝： CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 52K
代理商： MMBD914LT1
MMBD914LT1
http://onsemi.com
2
Notes: 1. A 2.0 k variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes:
3. t
p
t
rr
+10 V
2.0 k
820
0.1 F
DUT
V
R
100 H
0.1 F
50 OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50 INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
t
r
t
p
t
10%
90%
I
F
I
R
t
rr
t
i
R(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at i
R(REC)
= 1.0 mA)
I
F
INPUT SIGNAL
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Figure 2. Forward Voltage
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.0
10
100
0.1
Figure 3. Leakage Current
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
10
0
I
R
1.0
0.1
0.001
0.01
10
20
30
40
50
I
F
1.0
1.2
0.2
0.4
0.6
0.8
Figure 4. Capacitance
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
0
C
D
0.68
0.64
0.60
0.52
0.56
2.0
4.0
6.0
8.0
,
T
A
= 85
°
C
T
A
= 40
°
C
T
A
= 25
°
C
,
,
T
A
= 25
°
C
T
A
= 55
°
C
T
A
= 85
°
C
T
A
= 150
°
C
T
A
= 125
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD914L High-Speed Switching Diode
MMBF0201NLT1 Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N Channel SOT23(0.3A，20V，SOT-23，N溝道功率MOSFET)
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MMBF4392LT1G JFET Switching Transistors N-Channel
MMBF4416LT1G JFET VHF/UHF Amplifier Transistor N-Channel
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參數(shù)描述
MMBD914LT1G 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD914LT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode
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