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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD914-V-GS08 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 123K |
| 代理商： | MMBD914-V-GS08 |
www.vishay.com
2
Document Number 85734
Rev. 1.4, 05-Aug-10
MMBD914-V
Vishay Semiconductors
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Electrical Characteristics
Tamb = 25 °C, unless otherwise specified
Package Dimensions in millimeters (inches): SOT-23
Parameter
Test condition
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Forward voltage drop
IF = 10 mA
VF
1V
Reverse current
VR = 20 V
IR
25
nA
VR = 75 V
IR
5
μA
Reverse recovery time
IF = IR = 10 mA, VR = 6 V,
RL = 100 Ω, to Irr = 1 mA
trr
4ns
Diode capacitance
VR = 0, f = 1 MHz
CD
4pF
Foot print recommendation:
Rev. 8 - Date: 23.Sept.2009
17418
Document no.: 6.541-5014.01-4
0.9 (0.035)
1 (0.039)
0.9 (0.035)
1 (0.039)
1.43
(0.056)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
2.8 (0.110)
3.1 (0.122)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.45 (0.018)
0.35 (0.014)
0.1
(0.004)
max.
2.35 (0.093)
2.6 (0.102)
0.175
(0.007)
0.098
(0.004)
1.15
(0.045)
0.9
(0.035)
1.20
(0.047)
0.95 (0.037)
2
(0.079)
0.7 (0.028)
0.9
(0.035)
0°
to
8°
0.2
(0.008)
0.3 (0.012)
0.5 (0.020)
0.550 ref. (0.022 ref.)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ27VDC-GS18 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MMBZ27VDA-GS08 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE |
| MMBZ4625/E9 | 5.1 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ4618/E9 | 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ4623/E8 | 4.3 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD914-V-GS08 (Mouser Part No Error) | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100 Volt 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD914-V-GS18 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 100 Volt 200mA 4ns RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD914WS | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNTSWITCHING DIODES |
| MMBDT914LT1 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
| MMBF0201 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE TMOS MOSFET |
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