參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD717WS
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.2 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： PLASTIC PACKAGE-2
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 165K
代理商： MMBD717WS
PAGE . 1
STAD-OCT.22.2004
DATA SHEET
MMBD717WS
SURFACE MOUNT SCHOTTKY DIODES
VOLTAGE
20 Volts
200mA
FEATURES
Very Low VF : 0.32V (Typ) at IF = 1mA
Low Capacitance : 2.5pF (Typ) at VR = 1V
Extremely Fast Switching Speed
MECHANICAL DATA
Case: SOD-323, Plastic
Terminals: Solderable per MIL-STD-202G, Method 208
Approx. Weight: 0.0041 gram
MAXIMUM RATINGS
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.
CURRENT
.078(1.95)
.038(.95)
.107(2.7)
.014(.35)
.006(.15)
.054(1.35)
.068(1.75)
.027(.70)
.090(2.3)
.012(.30)MIN.
.009(.25)
.002(.05)
.045(1.15)
SOD-323
Unit: inch (mm)
.
Both normal and Pb free product are available :
Normal : 80~95% Sn, 5~20%% Pb
Pb free: 99% Sn above
Marking : P70
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Maximum Reverse Voltage
VR
20
V
Peak Reverse Voltage
VRRM
20
V
Continuous Forward Current
IF
0.2
A
Power Dissipation
(1)
PTOT
200
mW
Thermal Resistance , Junction to Ambient
(1)
RΘJA
625
OC/W
Junction Temperature
TJ
-50 to 125
OC
Storage Temperature
TSTG
-50 to 150
OC
Notes : 1. FR-5 Board = 1.0 × 0.75 × 0.062 in.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25
OC, unless otherwise noted)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Reverse Breakdown Voltage
V(BR)
IR=10uA
20
-
V
Reverse Current
IR
VF=10V
-
1.0
uA
Forward Voltage
VF
IF =1.0mA
-
0.37
V
Total Capacitance
CT
VR=1V, f =1.0MHz
-
2.5
pF
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PDF描述
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MMBZ4618/E9 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
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