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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD6100 |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 505K |
| 代理商： | MMBD6100 |
PAGE . 1
REV.0-MAY.11.2005
SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES
VOLTAGE
80 Volts
225mWatts
FEATURES
Dual, common cathode configuration
Very fast reverse recovery ( Trr< 2.0ns typical )
Low capacitance ( < 2.5pF @ 0V)
Surface mount package ideally suited for anuomatic insetion
Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS environment
substance directive request
MECHANICAL DATA
Case: SOT-23 plastic
Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026
Approx weight : 0.008 gram
Marking : T4
POWER
ABSOLUTE RATINGS
NOTE:
1. FR-5 Board=1.0 x 0.75 x 0.062 in.
.083(2.10)
.020(.50)
.006(.15)
.119(3.00)
.056(1.40)
.103(2.60)
.044(1.10)
.007(.20)MIN
.066(1.70)
.006(.15)MAX
.013(.35)
.002(.05)
.110(2.80)
.047(1.20)
.086(2.20)
.035(0.90)
SOT- 23
Unit: inch (mm)
THERMAL CHARACTERISTICS
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MMBD6100
DATA SHEET
SINGLE (Alt)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD914 | 0.2 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBZ5223B-T1 | 2.7 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5231B-T1 | 5.6 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5241B-T1 | 12 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5243B-T1 | 15 V, 0.35 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD6100_09 | 制造商:PANJIT 制造商全稱:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SWITCHING DIODES |
| MMBD6100LT1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD6100LT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diode |
| MMBD6100LT1G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD6100LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal Diode |
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