參數(shù)資料
型號(hào)： MMBD6050T/R7
元件分類： 二極管(射頻、小信號(hào)、開關(guān)、功率)
英文描述： 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大?。?/td> 184K
代理商： MMBD6050T/R7
ELECTRICAL CHARACTERISTIC CURVES
Fig. 3. Forward Current vs. Forward Voltage
0.001
0.010
0.100
1.000
10.000
0
20
40
60
80
Reverse Voltage, VR (V)
Reverse
Leakage
Current,
I
R
(uA)
T
J = 25 °C
T
J = 75 °C
TJ = 150 °C
0.1
1
10
100
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Forward Voltage, VF (V)
Forward
Current,
I
F(mA)
TJ = 25 °C
TJ = 75 °C
TJ = -25 °C
T
J = 150 °C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Reverse Voltage, VR (V)
Capacitance
(pF)
Fig. 2. Reverse Current vs. Reverse Voltage
Fig. 4. Capacitance vs. Reverse Voltage
REV.0.1-FEB.10.2009
PAGE .
3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD6050 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD6100T/R7 0.2 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD7000 0.15 A, 75 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBD701T/R7 0.25 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MMBF0202PLT3 300 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
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參數(shù)描述
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