參數(shù)資料
型號(hào): MMBD6050LT1
廠(chǎng)商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi): 參考電壓二極管
英文描述: SWITCHING DIODE
中文描述: 0.2 A, 70 V, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
封裝: CASE 318-08, TO-236, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/3頁(yè)
文件大小: 170K
代理商: MMBD6050LT1
Features
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Suggested Solder Pad Layout
DIMENSIONS
INCHES
MIN
.110
.083
.047
.035
.070
.018
.0005
.035
.003
.015
MM
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
MAX
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.020
MIN
2.80
2.10
1.20
.89
1.78
.45
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.89
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.37
MAX
3.04
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1.03
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1.12
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.51
NOTE
A
B
C
D
E
F
G
H
J
.079
2.000
imm
.031
.800
.035
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.037
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.037
.950
K
omp
onents
21201 Itasca Street Chatsworth
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
MMBD6050LT1G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD6050LT3 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD6050LT3G 功能描述:二極管 - 通用,功率,開(kāi)關(guān) 70V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube
MMBD6050-T1 制造商:WTE 制造商全稱(chēng):Won-Top Electronics 功能描述:SURFACE MOUNT FAST SWITCHING DIODE
MMBD6050-V 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:Diode, Small Signal; 200 mA; 70 V (Min.) @ 25 degC(Reverse); 1.1 V (Max.); SOT-2