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參數(shù)資料
| 型號： | MMBD2835L |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 二極管(射頻、小信號、開關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 封裝： | CASE 318-07, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 49K |
| 代理商： | MMBD2835L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBZ15VDLT3 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ27VCLT3 | 40 W, UNIDIRECTIONAL, 2 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, TO-236AB |
| MMBZ4617 | 2.4 V, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5238BS-7 | 8.7 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| MMBZ5258BW | 36 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD2835LT1 | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD2835LT1_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2835LT1G | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開關(guān) 35V 200mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD2835LT1G_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Monolithic Dual Switching Diodes |
| MMBD2836 | 制造商:BILIN 制造商全稱:Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited 功能描述:Surface mount switching diode |
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