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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MMBD1505AS62Z |
| 廠(chǎng)商： | NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類(lèi)： | 二極管(射頻、小信號(hào)、開(kāi)關(guān)、功率) |
| 英文描述： | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | MMBD1505AS62Z |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MMBD1704S62Z | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD1704D87Z | 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB |
| MMBD2005T3 | 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3004CARFG | 0.225 A, 350 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MMBD3010T1G | 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MMBD1505T | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD1505-TP | 功能描述:二極管 - 通用，功率，開(kāi)關(guān) 600mA 180V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品:Switching Diodes 峰值反向電壓:600 V 正向連續(xù)電流:200 A 最大浪涌電流:800 A 配置: 恢復(fù)時(shí)間:2000 ns 正向電壓下降:1.25 V 最大反向漏泄電流:300 uA 最大功率耗散: 工作溫度范圍: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:ISOTOP 封裝:Tube |
| MMBD1701 | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MMBD1701_Q | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| MMBD1701A | 功能描述:整流器 High Conductance Low Leakage RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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