參數(shù)資料
型號： MMBD101WST/R13
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： MMBD101WST/R13
PAGE . 2
STAD-MAR.26.2007
MMBD101WS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS CURVES
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
J=25
OC unless otherwise noted)
r
e
t
e
m
a
r
a
P
l
o
b
m
y
S
n
o
i
t
i
d
n
o
C
t
s
e
T
.
n
i
M
.
p
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T
.
x
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M
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t
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n
U
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g
a
t
l
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V
n
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r
B
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v
e
R
V
)
R
B
(
I
R
0
1
=
A
0
.
7
0
1
-
V
t
n
e
r
u
C
e
g
a
k
a
e
L
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s
r
e
v
e
R
I
R
V
R
V
0
.
3
=
-
5
2
.
0
A
e
g
a
t
l
o
V
d
r
o
w
r
o
F
V
F
I
F
A
m
0
1
=
-
5
.
0
6
.
0
V
e
c
n
a
t
i
c
a
p
a
C
l
a
t
o
T
C
J
V
,
z
H
M
0
.
1
=
f
R
V
0
=
-
8
.
0
.
1
F
p
FIG. 1-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTIC
FIG. 2-TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
FIG. 3 TYPICAL TOTAL CAPACITANCE
0.1
1
10
100
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
Forward Voltage, V
F (V)
Fo
rw
a
rd
C
ur
re
nt,
I F
(m
A
)
T
J =25
T
J =75
T
J = 125
0.01
0.1
1
10
0
25
50
75
100
125
150
Junction Temperature, T
J (C)
R
ever
se
C
u
rr
en
t,
I R
(u
A
)
VR =3V
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0123
4567
Reverse Voltage, V
R (V)
C
a
p
aci
ta
n
ce,
C
(p
F
)
f=1MHz
OC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MMBD1201S62Z 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1204D87Z 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1203L99Z 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1204L99Z 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
MMBD1201 SILICON, SIGNAL DIODE
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參數(shù)描述
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