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參數(shù)資料
| 型號： | MM912H634CM1AE |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 219/349頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE |
| 標準包裝： | 250 |
| 應用： | 自動 |
| 核心處理器： | HCS12 |
| 程序存儲器類型： | 閃存（64 kB） |
| 控制器系列： | HCS12 |
| RAM 容量： | 6K x 8 |
| 接口： | LIN |
| 電源電壓： | 5.5 V ~ 27 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 125°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 48-LQFP 裸露焊盤 |
| 包裝： | 管件 |
| 供應商設備封裝： | 48-LQFP 裸露焊盤（7x7） |
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MM912_634 Advance Information, Rev. 10.0
Freescale Semiconductor
296
5.40
64 KByte Flash Module (S12FTMRC64K1V1)
5.40.1
Introduction
The module implements the following:
kbytes of P-Flash (Program Flash) memory
kbytes of D-Flash (Data Flash) memory
The Flash memory is ideal for single-supply applications allowing for field reprogramming without requiring external high voltage
sources for program or erase operations. The Flash module includes a memory controller that executes commands to modify
Flash memory contents. The user interface to the memory controller consists of the indexed Flash Common Command Object
(FCCOB) register which is written to with the command, global address, data, and any required command parameters. The
memory controller must complete the execution of a command before the FCCOB register can be written to with a new command.
CAUTION
A Flash word or phrase must be in the erased state before being programmed. Cumulative
programming of bits within a Flash word or phrase is not allowed.
The Flash memory may be read as bytes, aligned words, or misaligned words. Read access time is one bus cycle for bytes and
aligned words, and two bus cycles for misaligned words. For Flash memory, an erased bit reads 1 and a programmed bit reads 0.
It is possible to read from P-Flash memory while some commands are executing on D-Flash memory. It is not possible to read
from D-Flash memory while a command is executing on P-Flash memory. Simultaneous P-Flash and D-Flash operations are
discussed in Allowed Simultaneous P-Flash and D-Flash Operations.
Both P-Flash and D-Flash memories are implemented with Error Correction Codes (ECC) that can resolve single bit faults and
detect double bit faults. For P-Flash memory, the ECC implementation requires that programming be done on an aligned 8 byte
basis (a Flash phrase). Since P-Flash memory is always read by half-phrase, only one single bit fault in an aligned 4 byte
half-phrase containing the byte or word accessed will be corrected.
5.40.1.1
Glossary
Command Write Sequence
— An MCU instruction sequence to execute built-in algorithms (including program and erase) on
the Flash memory.
D-Flash Memory
— The D-Flash memory constitutes the nonvolatile memory store for data.
D-Flash Sector
— The D-Flash sector is the smallest portion of the D-Flash memory that can be erased. The D-Flash sector
consists of four 64 byte rows for a total of 256 bytes.
NVM Command Mode
— An NVM mode using the CPU to setup the FCCOB register to pass parameters required for Flash
command execution.
Phrase
— An aligned group of four 16-bit words within the P-Flash memory. Each phrase includes two sets of aligned double
words with each set including 7 ECC bits for single bit fault correction and double bit fault detection within each double word.
P-Flash Memory
— The P-Flash memory constitutes the main nonvolatile memory store for applications.
P-Flash Sector
— The P-Flash sector is the smallest portion of the P-Flash memory that can be erased. Each P-Flash sector
contains 512 bytes.
Program IFR
— Nonvolatile information register located in the P-Flash block that contains the Device ID, Version ID, and the
Program Once field.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AYF213735 | CONN FPC 0.2MM 37POS SMD R/A |
| 396-030-520-202 | CARD EDGE 30POS DL .125X.250 BLK |
| 396-030-520-201 | CARD EDGE 30POS DL .125X.250 BLK |
| MM912G634CM1AER2 | IC 48KS12 LIN2XLS/HS ISENSE |
| 345-026-540-802 | CARDEDGE 26POS DUAL .100 GREEN |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MM912H634CM1AER2 | 功能描述:LIN 收發(fā)器 64KS12 LIN2xLS/HS Isense RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作電源電壓: 電源電流: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:SO-8 |
| MM912H634CV1AE | 功能描述:LIN 收發(fā)器 64KS12 LIN2xLS/HS Isense RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作電源電壓: 電源電流: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:SO-8 |
| MM912H634CV1AER2 | 功能描述:LIN 收發(fā)器 64KS12 LIN2xLS/HS Isense RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 工作電源電壓: 電源電流: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:SO-8 |
| MM912H634DM1AE | 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
| MM912H634DM1AER2 | 功能描述:16位微控制器 - MCU 64KS12 LIN2XLS/HS ISENSE RoHS:否 制造商:Texas Instruments 核心:RISC 處理器系列:MSP430FR572x 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:8 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:2 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:VQFN-40 安裝風格:SMD/SMT |
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