2. VDD = 3.3 V, TA = 25 °C, f
參數(shù)資料
型號： MK10DN512ZVLK10R
廠商： Freescale Semiconductor
文件頁數(shù)： 11/71頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC ARM CORTEX MCU 512KB 80LQFP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： Kinetis
核心處理器： ARM? Cortex?-M4
芯體尺寸： 32-位
速度： 100MHz
連通性： CAN，EBI/EMI，I²C，IrDA，SDHC，SPI，UART/USART
外圍設(shè)備： DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT
輸入/輸出數(shù)： 56
程序存儲器容量： 512KB（512K x 8）
程序存儲器類型： 閃存
RAM 容量： 128K x 8
電壓 - 電源 (Vcc/Vdd)： 1.71 V ~ 3.6 V
數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器： A/D 37x16b，D/A 1x12b
振蕩器型： 內(nèi)部
工作溫度： -40°C ~ 105°C
封裝/外殼： 80-LQFP
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： MK10DN512ZVLK10RDKR
2. VDD = 3.3 V, TA = 25 °C, fOSC = 12 MHz (crystal), fSYS = 96 MHz, fBUS = 48MHz
3. Specified according to Annex D of IEC Standard 61967-2, Measurement of Radiated Emissions—TEM Cell and Wideband
TEM Cell Method
5.2.7 Designing with radiated emissions in mind
To find application notes that provide guidance on designing your system to minimize
interference from radiated emissions:
2. Perform a keyword search for “EMC design.”
5.2.8 Capacitance attributes
Table 8. Capacitance attributes
Symbol
Description
Min.
Max.
Unit
CIN_A
Input capacitance: analog pins
—
7
pF
CIN_D
Input capacitance: digital pins
—
7
pF
5.3 Switching specifications
5.3.1 Device clock specifications
Table 9. Device clock specifications
Symbol
Description
Min.
Max.
Unit
Notes
Normal run mode
fSYS
System and core clock
—
100
MHz
fBUS
Bus clock
—
50
MHz
FB_CLK
FlexBus clock
—
50
MHz
fFLASH
Flash clock
—
25
MHz
fLPTMR
LPTMR clock
—
25
MHz
5.3.2 General switching specifications
These general purpose specifications apply to all signals configured for GPIO, UART,
CAN, CMT, and I2C signals.
General
K10 Sub-Family Data Sheet Data Sheet, Rev. 7, 02/2013.
Freescale Semiconductor, Inc.
19
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