參數(shù)資料
型號(hào)： MJW21191
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
中文描述： 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AE
封裝： PLASTIC, TO-247, CASE 340L-02, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： MJW21191
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(1) Pulse Test: Pulse Width
300
μ
s, Duty Cycle
2.0%.
(2) fT =
hfe
ftest.
OFF CHARACTERISTICS
(IC = 10 mAdc, IB = 0)
150
—
—
—
10
10
(VCB = 250 Vdc, IE = 0)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
μ
Adc
ON CHARACTERISTICS (1)
(IC = 8.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
DC Current Gain
hFE
5.0
—
—
(IC = 4.0 Adc, IB = 0.4 Adc)
—
1.0
(IC = 4.0 Adc, VCE = 2.0 Vdc)
Current Gain — Bandwidth Product (2)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
fT
4.0
—
MHz
Z
θ
JC(t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 1.65
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
P(pk)
t1
t2
DUTY
CYCLE,
D = t1/t2
Figure 2. Thermal Response
t, TIME (s)
T
R
1.0
0.1
D = 0.5
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
0.2
0.05
0.02
0.01
100
1000
0.01
0.1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJW21192 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJW21192 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS
MKP1V120 KPSE 39C 37#20 2#16 PIN PLUG
MKP1V120 CANMS3126E20-41PF0
MKP1V120RL MS3126E20-41PWF0
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJW21191G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21192 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21192_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W
MJW21192G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21193 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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