參數(shù)資料
型號： MJW21191
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS
中文描述： 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AE
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 150K
代理商： MJW21191
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 14. PNP — MJW21191
VCE = 2.0 V VBE(on) Curve
Figure 13. NPN — MJW21192
VCE = 2.0 V VBE(on) Curve
NPN — MJW21192
PNP — MJW21191
10
1.0
0.1
V
10
0.001
1.0
25
°
C
100
°
C
50
°
C
0.01
0.1
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相關PDF資料
PDF描述
MJW21191 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJW21192 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJW21192 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS
MKP1V120 KPSE 39C 37#20 2#16 PIN PLUG
MKP1V120 CANMS3126E20-41PF0
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MJW21192 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MJW21192G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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