參數(shù)資料
型號： MJW16212
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTOR
中文描述： 10 A, 650 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AE
封裝： CASE 340K-01, 3 PIN
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大?。?/td> 291K
代理商： MJW16212
3–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
C
f
τ
V
V
V
Figure 4. Typical Collector–Emitter
Saturation Region
IB, BASE CURRENT (A)
0.7
0.5
0.1
0.07
0.05
.03
0.3
0.3
0.2
10 A
.05
1
2
4
5.5
IC = 2
0.03
0.02
0.01
0.1 0.2
0.5
5
3
2
10
7
Figure 5. Typical Emitter–Base
Saturation Voltage
0.3
0.2
0.5
5
0.7
0.5
0.1
0.7
0.1
1
10
10
7
2
TJ = 25
°
C
2
3
5
7
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
IC/IB = 5
TJ = 100
°
C
0.3
1
3
1
0.2
3
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 6. Typical Collector–Emitter
Saturation Voltage
0.5
3
0.2
5
10
7
1
0.1
0.3
2
0.7
0.5
3
2
5
0.7
1
0.1
0.2
0.3
7
IC, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 7. Typical Transition Frequency
VCE = 10 V
f(test) = 1 MHz
TC = 25
°
C
0
1
2
3
4
6
5
5
2
0
4
3
1
Figure 8. Typical Capacitance
10000
5000
VR, REVERSE VOLTAGE (V)
Cib
1
500
20
10
5
1
7
50
300
1000
50
2
2000
100
200
3
10
100
70
5
30
200
1000
2
20
500
ftest = 1 MHz
8
.02
.01
5 7 10
= 25
°
C
IC/IB = 10
TJ = 100
°
C
= 25
°
C
IC/IB = 5
TJ = 100
°
C
= 25
°
C
IC/IB = 10
TJ = 100
°
C
= 25
°
C
10
Cob
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PDF描述
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