型號: | MJV-2C-6 |
元件分類: | 連接器件 |
英文描述: | INTERCONNECTION DEVICE |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 43K |
代理商: | MJV-2C-6 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJV-2O-6 | INTERCONNECTION DEVICE |
MJV-2S-8 | INTERCONNECTION DEVICE |
MK-252-009-325-220S-0B7 | 9 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
MK-2P2-021-323-220S-0B7 | 21 CONTACT(S), MALE, D MICROMINIATURE CONNECTOR, SOLDER, PLUG |
MK150-06 | 1-OUTPUT 150 W AC-DC REG PWR SUPPLY MODULE |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJW0281A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 260V 150W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJW0281A_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors |
MJW0281AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN DIP PWR XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJW0302A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 260V 150W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJW0302AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP BIP PWR XSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |