參數(shù)資料
型號： MJL3281
廠商： Motorola, Inc.
英文描述： 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS
中文描述： 15安培互補性的芯片功率晶體管200伏200瓦
文件頁數(shù)： 3/6頁
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代理商： MJL3281
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PNP MJL1302A
Figure 1. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100
10
1
f
T
VCE = 10 V
VCE = 5 V
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
NPN MJL3281A
Figure 2. Current–Gain — Bandwidth Product
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
100
10
1
f
T
VCE = 10 V
VCE = 5 V
TJ = 25
°
C
ftest = 1 MHz
PNP MJL1302A
Figure 3. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
0.1
1000
100
10
VCE = 20 V
VCE = 5 V
NPN MJL3281A
Figure 4. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1000
100
10
h
h
PNP MJL1302A
Figure 5. DC Current Gain, VCE = 5 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1000
100
10
VCE = 5 V
NPN MJL3281A
Figure 6. DC Current Gain, VCE = 5 V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1000
100
10
VCE = 5 V
h
h
100
10
1
0.1
100
10
1
0.1
100
10
1
0.1
100
100
°
C
25
°
C
100
°
C
–25
°
C
VCE = 5 V
VCE = 20 V
–25
°
C
25
°
C
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
MJL3281A 15 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 200 VOLTS 200 WATTS
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參數(shù)描述
MJL3281A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 230V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJL3281A_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERES COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 260 VOLTS 200 WATTS
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MJL3281AG 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Triac Package/Case:TO-264
MJL4281A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 15A 350V 230W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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