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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJH16006 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS 8 AMPERES 500 VOLTS 150 WATTS |
| 中文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 文件頁數(shù)： | 6/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 337K |
| 代理商： | MJH16006 |
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
éééééééééééééé
éééééééééééééé
éééééééééééééé
éééééééééééééé
éééééééééééééé
5
3
éééééééééééééé
éééééééééééééé
SECOND BREAKDOWN
0.3
0.5
0.2
0.1
REGION II — EXPANDED FBSOA USING
REGION II —
RECTIFIER, SEE FIGURE 17
éééééééééééééé
0.02
1
10
éééééééééééééé
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
éééééééééééééé
éééééééééééééé
éééééééééééééé
20
éééééééééééééé
10
TC = 25
C
éééééééééééééé
5
éééééééééééééé
éééééééééééééé
EXPANDED FBSOA USING
éééééééééééééé
0.5
0.3
éééééééééééééé
0.2
éééééééééééééé
0.1
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN
éééééééééééééé
éééééééééééééé
0.02
0.1
1
10
éééééééééééééé
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
I
0.1
Figure 14. Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area
2000
100
1000
a. MJ16006A
10
μ
s
1 ms
II
a. MJH16006A
20
VCE(pk), COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0
100
0
16
12
8
4
100
200
300
400
900
Figure 15. Maximum Reverse Biased
Safe Operating Area
IC/IB1
≥
4
TJ
≤
100
°
C
P
100
0
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
0
40
200
80
60
40
20
80
120
160
Figure 16. Power Derating
500
600
700
800
VBE(off) = 0 V
SECOND BREAKDOWN DERATING
THERMAL DERATING
2000
100
1000
I
I
0
VBE(off) = 5 V
Figure 17. Switching Safe Operating Area
+15
150
100
μ
F
MTP8P10
MPF930
MPF930
MUR105
MJE210
150
500
μ
F
Voff
50
+10
MTP12N10
RB1
RB2
1
μ
F
1
μ
F
100
MTP8P10
MUR105
MUR1100
T.U.T.
MUR8100
VCE (1000 V MAX)
10
μ
F
10 mH
Note: Test Circuit for Ultra–fast FBSOA
Note:
RB2 = 0 and VOff = –5 Volts
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