參數(shù)資料
型號： MJH11020
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
中文描述： 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： MJH11020
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJH11017, MJH11018
(VCE = 75 Vdc, IB = 0)
200
—
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
MJH11017, MJH11018
—
1.0
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc IC = 0)
IEBO
—
—
5.0
2.0
mAdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc)
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
—
4.0
VBE(on)
VBE(sat)
—
—
2.8
3.8
Vdc
Vdc
—
600
MJH11017, MJH11019, MJH11021
hfe
75
—
—
Figure 2. Switching Times Test Circuit
RB & RC varied to obtain desired current levels
D1, must be fast recovery types, e.g.:
1N5825 used above IB
≈
100 mA
MSD6100 used below IB
≈
100 mA
tr, tf
≤
10 ns
Duty Cycle = 1.0%
For td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
For NPN test circuit, reverse diode and voltage polarities.
V2
APPROX
+12 V
0
V1
APPROX
–8.0 V
VCC
100 V
TUT
SCOPE
RB
+4.0 V
D1
51
RC
25
μ
s
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PDF描述
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