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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJH11020 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| 中文描述： | 15 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| 封裝： | CASE 340D-02, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 212K |
| 代理商： | MJH11020 |
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
V
TC = 150
°
C
IB, BASE CURRENT (mA)
1000
3000
2000
5000
7000
10,000
PNP
NPN
1.0
1.0
2.0
5.0
3.0
2.5
4.0
3.5
3.0
10
30
4.5
2.0
50
100
IC = 15 A
Figure 6. DC Current Gain
0.2
15
3.0
1.0
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5.0
10
0.3
20
h
TC = 150
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 5.0 V
Figure 7. Collector Saturation Region
Figure 8. “On” Voltages
1.5
300 500
1000
200
TJ = 25
°
C
IC = 10 A
IC = 5.0 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
3.0
2.5
V
4.0
3.5
2.0
0.5
0.2
0.5
5.0
0.3
1.0
0.7
3.0
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 100
VBE @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 100
7.0
2.0
10
20
100
h
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
2.0
5.0
3.0
10
30
50
100
IC = 15 A
20
300 500
200
TJ = 25
°
C
IC = 10 A
IC = 5.0 A
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.5
1.0
1000
PNP
NPN
PNP
NPN
500
200
0.7
1000
2000
5000
10,000
0.2
15
3.0
1.0
0.5
5.0
10
0.3
7.0
25
°
C
–55
°
C
VCE = 5.0 V
100
500
200
0.7
3.0
2.5
4.0
3.5
2.0
0.5
0.2
0.5
5.0
1.0
0.7
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 100
VBE @ VCE = 5.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 100
2.0
10
20
1.5
1.0
1.0
3.0
2.5
4.0
3.5
4.5
2.0
1.5
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