參數(shù)資料
型號(hào)： MJH11018
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 15 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝： CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： MJH11018
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJH11017, MJH11018
(VCE = 75 Vdc, IB = 0)
200
—
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
MJH11017, MJH11018
—
1.0
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc IC = 0)
IEBO
—
—
5.0
2.0
mAdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc)
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
—
4.0
VBE(on)
VBE(sat)
—
—
2.8
3.8
Vdc
Vdc
—
600
MJH11017, MJH11019, MJH11021
hfe
75
—
—
Figure 2. Switching Times Test Circuit
RB & RC varied to obtain desired current levels
D1, must be fast recovery types, e.g.:
1N5825 used above IB
≈
100 mA
MSD6100 used below IB
≈
100 mA
tr, tf
≤
10 ns
Duty Cycle = 1.0%
For td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
For NPN test circuit, reverse diode and voltage polarities.
V2
APPROX
+12 V
0
V1
APPROX
–8.0 V
VCC
100 V
TUT
SCOPE
RB
+4.0 V
D1
51
RC
25
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJH11019 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11020 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11018 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
MJH11019 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
MJH11020 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
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參數(shù)描述
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