參數(shù)資料
型號(hào)： MJH11017
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 15 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218
封裝： CASE 340D-02, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大小： 212K
代理商： MJH11017
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJH11017, MJH11018
(VCE = 75 Vdc, IB = 0)
200
—
(VCE = Rated VCB, VBE(off) = 1.5 Vdc)
MJH11017, MJH11018
—
1.0
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc IC = 0)
IEBO
—
—
5.0
2.0
mAdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
Base–Emitter On Voltage (IC = 10 A, VCE = 5.0 Vdc)
Base–Emitter Saturation Voltage (IC = 15 Adc, IB = 150 mA)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 0.1 MHz)
Small–Signal Current Gain (IC = 10 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 kHz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
—
4.0
VBE(on)
VBE(sat)
—
—
2.8
3.8
Vdc
Vdc
—
600
MJH11017, MJH11019, MJH11021
hfe
75
—
—
Figure 2. Switching Times Test Circuit
RB & RC varied to obtain desired current levels
D1, must be fast recovery types, e.g.:
1N5825 used above IB
≈
100 mA
MSD6100 used below IB
≈
100 mA
tr, tf
≤
10 ns
Duty Cycle = 1.0%
For td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
For NPN test circuit, reverse diode and voltage polarities.
V2
APPROX
+12 V
0
V1
APPROX
–8.0 V
VCC
100 V
TUT
SCOPE
RB
+4.0 V
D1
51
RC
25
μ
s
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJH11018 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11019 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11020 DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJH11018 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
MJH11019 15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150, 200, 250 VOLTS 150 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJH11017_06 制造商:ONSEMI 制造商全稱(chēng):ON Semiconductor 功能描述:15 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 150−250 VOLTS, 150 WATTS
MJH11017G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 15A 150V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11018 功能描述:達(dá)林頓晶體管 15A 150V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11018G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 20A 150V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJH11019 功能描述:達(dá)林頓晶體管 15A 200V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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