型號: | MJE702 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
中文描述: | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225AA |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 256K |
代理商: | MJE702 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJE703 | 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
MJE800 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
MJE802 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
MJE702 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
MJE703 | Monolithic Construction With Built-in Base- Emitter Resistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJE702G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJE702STU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJE702T | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W) |
MJE703 | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJE703G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |