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參數(shù)資料
| 型號： | MJE701 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, CASE 77-03, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | MJE701 |
MCH4014
No. A1921-2/10
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
Ratings
Unit
min
typ
max
Collector Cutoff Current
ICBO
VCB=5V, IE=0A
1.0
μA
Emitter Cutoff Current
IEBO
VEB=1V, IC=0A
1.0
μA
DC Current Gain
hFE
VCE=5V, IC=5mA
60
150
Gain-Bandwidth Product
fT
VCE=5V, IC=10mA
8
10
GHz
Forward Transfer Gain
| S21e |
2
VCE=5V, IC=10mA, f=1GHz
15
18
dB
Noise Figure
NF
VCE=5V, IC=10mA, f=1GHz
1.2
1.8
dB
Pay attention to handling since it is liable to be affected by static electricity due to the high-frequency process adopted.
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Cob -- VCB
Output
Capacitance,
Cob
-
pF
Collector Current, IC -- mA
hFE -- IC
DC
Current
Gain,
h
FE
Collector-to-Emitter Voltage, VCE -- V
Collector
Current,
I
C
-
mA
Base-to-Emitter Voltage, VBE -- V
IC -- VBE
Collector
Current,
I
C
-
mA
IC -- VCE
Collector Current, IC -- mA
fT -- IC
Gain-Bandwidth
Product,
f
T
-
GHz
Collector-to-Base Voltage, VCB -- V
Cre -- VCB
Reverse
T
ransfer
Capacitance,
Cre
-
pF
IT16301
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
IT16302
IT16303
012
10
8
46
2
0
10
30
20
5
15
25
0
10
25
20
15
5
30
IB=0μA
50
μA
2
3
5
7
2
3
5
7
100
10
1000
3
25 7
0.1
3
25 7
1.0
10
3
25 7 100
VCE=5V
2
7
5
3
0.1
1.0
3
25
100
0.1
73
25 7
1.0
3
25 7 10
f=1MHz
IT16304
IT16306
7
2
3
5
7
2
3
5
100
10
1.0
23
5
7
10
23
5
7
100
VCE=5V
f=1GHz
5
7
2
3
5
7
2
3
1.0
0.01
0.1
3
25
100
0.1
73
25 7
10
3
25 7
1.0
f=1MHz
IT16305
100
μA
150
μA
200μA
500
μ
A
250μA
300μA
350μA
400μA
450
μA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE710 | 1.5 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE720 | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE720 | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE720 | 1.5 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE800 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE701STU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE701T | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon PNP Darlington Power Transistor |
| MJE702 | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE702G | 功能描述:達林頓晶體管 4A 80V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
| MJE702STU | 功能描述:達林頓晶體管 PNP Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
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