參數(shù)資料
型號(hào)： MJE370
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, CASE 77-03, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 114K
代理商： MJE370
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE370 3 A, 30 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE520 3 A, 30 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE371 4 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE340 0.5 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE700 4 A, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE371 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE371G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 40V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE371G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor
MJE4340 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
MJE4341 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)
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