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相關PDF資料	PDF描述
MJE2955TBA	10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5742BG	8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5742BA	8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5742AN	8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE5741BC	8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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MJE2955TBA

10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR

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8 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

相關代理商/技術參數(shù)	參數(shù)描述
MJE2955TD127	制造商:Motorola Inc 功能描述:
MJE2955TG	功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE2955TG-TN3-R	制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
MJE2955TTU	功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE2955TTU_Q	功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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MJE2955TD127

制造商:Motorola Inc 功能描述:

MJE2955TG

功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 60V 125W PNP RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

MJE2955TG-TN3-R

制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

MJE2955TTU

功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicon RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

MJE2955TTU_Q

功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2

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型號：	MJE2955TBS
廠商：	ON SEMICONDUCTOR
元件分類：	功率晶體管
英文描述：	10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝：	PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)：	48/59頁
文件大?。?/td>	357K
代理商：	MJE2955TBS

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