參數(shù)資料
型號(hào)： MJE2360TBU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 21/59頁(yè)
文件大小： 340K
代理商： MJE2360TBU
Outline Dimensions and Leadform Options
5–8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BV
LEADFORM BU
LEADFORM BD
LEADFORM DW
UNDERSIDE
OF LEAD
MOUNTING
SURFACE
.094
± .01 .005 ±.005
.102
± .003
0.005
± 0.005
.223
± .010
.20 REF.
.100 REF.
0.102
± 0.005
0.680
± 0.005
.735
± .010
.610
± .010
.680
±.005
.800
± .050
3 LEADS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE2360TBV 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360T 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE2361TBG 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TBG 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2361TAJ 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE241 制造商:CENTRAL 制造商全稱(chēng):Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE242 制造商:CENTRAL 制造商全稱(chēng):Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE243 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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