- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄98020 > MJE2360TAJ (ON SEMICONDUCTOR) 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJE2360TAJ |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 57/59頁(yè) |
| 文件大小： | 340K |
| 代理商： | MJE2360TAJ |
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2–7
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 2. Plastic TO–220AB (continued)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
Resistive Switching
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
Device Type
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
ICCont
Amps
Max
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
fT
MHz
Min
@ IC
Amp
tf
s
Max
ts
s
Max
@ IC
Amp
hFE
Min/Max
PNP
NPN
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
10
100
BDX33C (2)
BDX34C (2)
750 min
3
70
450/1000
MJE18009
14/34
1.5
2.75(3)
0.2(3)
3
12
150
12
400/700
MJE13009
6/30
8
3
0.7
8
4
100
15
80
2N6488
2N6491
20/150
5
0.6 typ
0.3 typ
5
75
D44VH10
D45VH10
20 min
4
0.5
0.09
8
50 typ
83
100
BDW42 (2)
BDW47 (2)
1k min
5
1 typ
1.5 typ
5
4
85
Table 3. Plastic TO–218 Type
Device Type
Resistive Switching
PD
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min(8)
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD
(Case)
Watts
@ 25
°C
8
500/1000
MJH16006A
5 min
8
2.5
0.25
5
125
10
60
TIP140(2)
TIP145(2)
500 min
10
2.5 typ
5
4(1)
125
TIP141 (2)
TIP146 (2)
500 min
10
2.5 typ
5
4(1)
125
100
BDV65B (2)
BDV64B (2)
1k min
5
125
TIP33C
TIP34C
20/100
3
80
TIP142(2)
TIP147(2)
500 min
10
2.5 typ
5
4(1)
125
400
BU323AP (2)
150/100
6
15
6
125
MJH10012 (2)
100/2k
6
15
6
118
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(8)When 2 voltages are given, the format is VCEO(sus)/VCES.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 340D
(TO–218 Type,
SOT–93)
1
3
2
4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE2360TAU | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2360TBD | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2361TAU | 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2955TBU | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE2955TBD | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE2361T | 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(0.5A,350V,30W) |
| MJE240 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MJE241 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE242 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
| MJE243 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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