參數(shù)資料
型號： MJE18604D2BS
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 34/61頁
文件大小： 386K
代理商： MJE18604D2BS
MJE18604D2
3–782
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (VCC = 15 V)
Fall Time
IC = 300 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
170
210
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 50 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.7
2.7
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
150
400
ns
Fall Time
IC = 300 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
160
150
250
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 150 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.7
1.1
1
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
160
250
ns
Fall Time
IC = 500 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
165
700
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 50 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
3
4.1
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
200
800
ns
Fall Time
IC = 500 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
110
130
175
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 250 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.7
1.8
1
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
130
250
200
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18604D2BG 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2BA 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE200_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE200G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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