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參數(shù)資料
| 型號： | MJE18206AS |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 31/67頁 |
| 文件大小： | 543K |
| 代理商： | MJE18206AS |
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5–9
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BS
LEADFORM AF
.050 REF.
.200 REF.
.100 REF.
MOUNTING
SURFACE
LEAD
.040 MIN.
0.018
± .005
0.080
± 0.015
0.296
± 0.020
.557
(REF.)
.660
± .02
0.607
± 0.015
0.325
± 0.020
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18206AF | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206AU | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206AN | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206AK | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18206BU | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE182G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18604 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
| MJE18604D2 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
| MJE200 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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